Le 15 mars dernier les IRT Nanoelec, Saint Exupéry et l’ITE Vedecom ont réuni la communauté académique et industrielle du secteur de l’électronique de puissance qui, de plus en plus, voit comme son protagoniste le nitrure de gallium (GaN).
Cette journée de séminaire professionnel « PowerGan : vers une filière française » a eu lieu à Paris et a permis de réunir plus de 150 professionnels et 20 intervenants qui ont eu l’opportunité de mettre en avant leur connaissances et projets à propos du GaN.
Ce matériau à bande interdite large devient un enjeu de plus en plus crucial à l’heure de l’électrification des transports ou de l’électronique personnelle, entre autres.
Aujourd’hui, la maturité technologique liée au GaN est assez solide et avancée pour envisager son application industrielle. Dans une démarche de partage et de prospective, les participants et intervenants ont échangé sur :
- La structuration d’une filière, à l’initiative de STMicroelectronics, et apports du programme dédié de l’IRT Nanoelec ;
- Les perspectives applicatives et enjeux de R&D ;
- Les initiatives institutionnelles.
Le programme PowerGan
Particulièrement, le programme R&D dédié au GaN que l’IRT Nanoelec a mené entre 2017 et 2021 en collaboration avec le CEA, Grenoble-INP, Schneider Electric, Siemens EDA et STMicroelectronics, avait plusieurs objectifs cruciaux. A savoir :
- Accompagner et accélérer le développement d’une nouvelle génération de composants de puissance pour répondre aux enjeux de la transition numérique et énergétique ;
- Contribuer à la structuration de la chaîne de valeur nationale du GaN avec une stratégie de recherche basée sur des dispositifs de puissance GaN/SiC disruptifs, utilisant la technologie 200 mm et des outils et techniques de co conception de convertisseurs de puissance compatibles GaN ;
- Préparer le transfert de technologie « transistor 650 V » vers STMicroelectronics et établir la preuve de concept pour un jumeau numérique dédié aux composants PowerGan.
L’IRT Saint Exupéry tient à remercier Fabio Coccetti (Chef du département « Component Modelling and Reliability » Competence Center – « More Electrical Aircraft ») pour avoir représenté nos travaux et notre savoir-faire lors de la table ronde « Perspectives d’application des GaN pour la transition énergétique » qu’il a lui-même animé avec d’autres intervenants.
Lors de cette table ronde, Fabio a sollicité l’opinion des acteurs industriels dans l’exploration des perspectives d’application des GaN en tant qu’enablers dans les secteurs de la transition énergétique. Le but étant d’identifier les opportunités et d’anticiper les éventuels risques d’une adoption commerciale. Pour ce faire, chaque intervenant de la table ronde a exposé un ou plusieurs arguments en avantage du GaN par rapport au SiC*.
*SiC : Carbure de Silicium. C’est un autre matériau résistant aux champs électriques élevés et hautes températures, mais dont le déploiement est entravé par l’absence de normes de qualification spécifiques, entre autres.
Chaque échange a été enrichissant et a permis de construire une vision d’ensemble plus nette sur le futur de cette filière. Nous tenons à remercier tous les intervenants et participants pour leur implication assidue et leurs partages.
Plus d’informations ici sur le programme, les contacts des intervenants, replay vidéo et présentations.